多數(shù)載流子是半導體物理的概念，對于雜質(zhì)半導體,N型半導體中的電子和P型半導體中的空穴稱為多數(shù)載流子(簡稱多子),而N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子稱為少數(shù)載流子(簡稱少子)。

半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。 在 N 型半導體中,電子是多數(shù)載流子, 空穴是少數(shù)載流子。在P型半導體中,空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。

少數(shù)載流子壽命英文名稱：minority carrier lifetime 定義：半導體材料中非平衡載流子因復合其濃度降為1/e的時間。 應用學科：材料科學技術（一級學科）；半導體材料（二級學科）；總論（二級學科）

載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子（因為只有少數(shù)載流子才能注入到半導體內(nèi)部、并積累起來，多數(shù)載流子即使注入進去后也就通過庫侖作用而很快地消失了），所以非平衡載流子壽命也就是指非平衡少數(shù)載流子壽命，即少數(shù)載流子壽命。

例如，對n型半導體，非平衡載流子壽命也就是指的是非平衡空穴