銅互連技術(shù)
銅互連技術(shù)已在0.18 μm和0.13 μm技術(shù)代中使用， 但是， 在0.10 μm以后， 銅互連與低介電常數(shù)絕緣材料共同使用時的可靠性問題還有待研究和開發(fā)。
5.2.5 高密度集成電路封裝的工業(yè)化技術(shù)
主要包括系統(tǒng)集成封裝技術(shù)、50 μm以下超薄背面減薄技術(shù)、圓片級封裝技術(shù)、無鉛化產(chǎn)品技術(shù)等。
5.2.6 應變硅材料制造技術(shù)
應變硅的電子和空穴遷移率明顯高于普通的無應變硅材料， 其中以電子遷移率提高尤為明顯。以Si0.8Ge0.2層上的應變硅為例，其電子遷移率可以提高50%以上， 這可大大提高NMOS器件的性能，這對高速高頻器件來說至關(guān)重要。對現(xiàn)有的許多集成電路生產(chǎn)線而言， 如果采用應變硅材料， 則可以在基本不增加投資的情況下使生產(chǎn)的IC性能明顯改善，同時也可以大大延長花費巨額投資建成的IC生產(chǎn)線的使用年限。
