顯影后的熱烘培稱為堅膜烘培，目的是蒸發掉硅片光刻膠中剩余溶劑，哈默納科高溫堅膜諧波FHA-25C-100-E250從而使光刻膠變硬，提高光刻膠與硅片的粘附性。堅膜過程也可以蒸發掉殘余在硅片上的顯影液和清洗用水。堅膜過程通常在硅片軌道系統的熱板上，或在生產線上的專用爐中完成。堅膜溫度大致為哈默納科高溫堅膜諧波FHA-25C-100-E250：正膠130℃，負膠150℃。

    對于DNQ酚醛樹脂光刻膠則可使用深紫外線照射進行堅膜處理哈默納科高溫堅膜諧波FHA-25C-100-E250，此方法使正膠樹脂發生交聯形成較硬的表面層，增加了光刻膠的熱穩定性，可以承受125~200℃等離子刻蝕及離子注入工藝工作溫度。